Обзоры и сравнения

Samsung Представила 900-Слойную Флеш-Память: Прорыв в NAND-Технологиях

27 мая 2026 г.Николай Вертушкин1 мин

Samsung совершила значительный прорыв в индустрии полупроводников, представив опытный образец чипа флеш-памяти с рекордными 900 слоями.

Эта высокопроизводительная память найдет применение в современных смартфонах, мощных серверах искусственного интеллекта и в системах хранения данных для центров обработки данных. Основное преимущество многослойной архитектуры заключается в существенном увеличении объема хранимых данных на той же площади кристалла и значительном снижении потребления энергии устройством.

Для достижения столь впечатляющего количества слоёв инженеры Samsung применили инновационную технологию Cell Multi Bonding (CMB). Суть метода заключается в объединении двух отдельных пластин, каждая из которых содержит 450 слоёв, в единую структуру. Ключевыми техническими задачами было обеспечение идеальной плоскости и предотвращение смещений или деформаций пластин в процессе склеивания.

На сегодняшний день главный конкурент Samsung, компания SK Hynix, имеет в массовом производстве флеш-память с 321 слоем. Сама Samsung планирует начать серийное производство чипов с более чем 400 слоями уже в текущем году, в то время как китайская компания YMTC приближается к отметке в 300 слоёв.

Несмотря на успешную демонстрацию прототипа, сроки перехода 900-слойной технологии в массовое производство пока остаются неизвестными.