Обзоры и сравнения

Процессор Huawei Kirin 9030: Плотность Транзисторов SMIC N+3 Превосходит Intel

16 июня 2026 г.Евгений Радищев1 мин

Новейший процессор Huawei Kirin 9030, изготовленный по технологии SMIC N+3, демонстрирует впечатляющие достижения в области плотности размещения транзисторов. Ключевым параметром, влияющим на эту характеристику, является «шаг металлизации» (Metal Pitch) — расстояние между центрами соседних токопроводящих дорожек. Чем меньше этот показатель, тем больше транзисторов можно интегрировать на единицу площади.

Техпроцесс SMIC N+3 имеет шаг металлизации, равный 32,5 нанометра. Это значение выгодно отличается от аналогичного показателя у Intel 18A, который составляет 36 нанометров. Таким образом, плотность размещения транзисторов у SMIC N+3 примерно на 10% выше, чем у Intel.

Однако, несмотря на превосходство в плотности, эксперты из SemiAnalysis указывают на определенные ограничения SMIC N+3. По их мнению, данный техпроцесс существенно отстает от Intel по таким важным параметрам, как сложность производства, энергоэффективность и точность контроля процессов. Согласно их оценкам, SMIC N+3 достигает уровня зрелости, сравнимого с техпроцессом TSMC N6 (6 нм).